Ȩ > °úÇÐ ±³À°
À½ÀÇ Á¤Àü¿ë·® Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð ¼¼°è ÃÖÃÊ·Î °³¹ß
¾ç¿Á°æ ±âÀÚ  |  rong-miya@hanmail.net
ÆùƮŰ¿ì±â ÆùÆ®ÁÙÀ̱â ÇÁ¸°Æ®Çϱ⠸ÞÀϺ¸³»±â ½Å°íÇϱâ
½ÂÀÎ 2023.01.18  11:32:07
Æ®À§ÅÍ ÆäÀ̽ººÏ ³×À̹ö ±¸±Û msn
   
¡ã Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® ±¸Á¶µµ ¹× ÀϹÝÀûÀÎ Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® ´ëºñ À½ÀÇ Á¤Àü¿ë·® Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸®ÀÇ ³»ºÎ Àü¾Ð ÁõÆø Çö»ó ºñ±³

KAIST Àü±â¹×ÀüÀÚ°øÇкΠÀü»óÈÆ ±³¼ö ¿¬±¸ÆÀÀÌ À½ÀÇ Á¤Àü¿ë·® È¿°ú(Negative Capacitance Effect, ÀÌÇÏ NC È¿°ú)'¸¦ È°¿ëÇØ ±âÁ¸ Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸®ÀÇ ¹°¸®Àû ¼º´É ÇѰ踦 ¶Ù¾î³Ñ´Â À½ÀÇ Á¤Àü¿ë·® Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® (NC-Flash Memory)¸¦ ¼¼°è ÃÖÃÊ·Î °³¹ßÇß´Ù.

À½ÀÇ Á¤Àü¿ë·® È¿°ú: À½ÀÇ Á¤Àü¿ë·® Çö»óÀº Àΰ¡µÇ´Â Àü¾ÐÀÌ Áõ°¡Çϸé ÀüÇÏ·®ÀÌ °¨¼ÒÇÔÀ» ÀǹÌÇÑ´Ù. À½ÀÇ Á¤Àü¿ë·® Ư¼ºÀ» °¡Áö´Â À¯Àüü »ç¿ë½Ã, Æ®·£Áö½ºÅÍ¿¡ Àΰ¡µÇ´Â Àü¾ÐÀ» ³»ºÎÀûÀ¸·Î ÁõÆøÇÏ¿© »ó´ëÀûÀ¸·Î ³·Àº µ¿ÀÛÀü¾ÐÀ» »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ¾î, ÆÄ¿ö¼Ò¸ð¸¦ ÁÙÀÏ ¼ö ÀÖ´Ù.

Çö´ë ÀüÀÚ ¼ÒÀÚ¿¡¼­ ÃàÀü±â(Capacitor)´Â ¸Å¿ì Áß¿äÇÑ ±¸¼º ¿ä¼ÒÀÇ Çϳª·Î, ÀüÀÚ ¼ÒÀÚ°¡ ¼ÒÇüÈ­µÇ°í ¼öÁ÷ ¹æÇâÀ¸·Î ÀûÃþ µÇ¸é¼­ ÃàÀü±â¿¡ ÀúÀåµÇ´Â ÀüÇÏ·®(Charge, Q)ÀÌ °¨¼ÒÇÏ´Â ¹®Á¦°¡ »ý±â¹Ç·Î ³ôÀº Á¤Àü¿ë·®(Capacitance, C)À» °¡Áø À¯Àüü ¹°ÁúÀÌ ÇʼöÀûÀ¸·Î ¿ä±¸µÇ°í ÀÖ´Ù.

¿©±â¿¡ ÀϹÝÀûÀÎ ÃàÀü±â¿Í ´Ù¸£°Ô Á¤Àü¿ë·®ÀÌ À½ÀÇ °ªÀ» °®´Â(Negative Capacitance) ÃàÀü±â¸¦ È°¿ëÇÑ´Ù¸é ´ÙÃþÀÇ ÃàÀü±âÀÇ Àüü Á¤Àü¿ë·®À» ¿ÀÈ÷·Á ´õ Áõ°¡½Ãų ¼ö ÀÖ°í, Â÷¼¼´ë ¼ÒÀÚ¿¡ ÀûÇÕÇÑ ³ôÀº Á¤Àü¿ë·® ¼ÒÀÚ °³¹ß ³­Á¦¸¦ ÇØ°áÇÒ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ̶ó´Â °¡¼³ÀÌ Á¦¾ÈµÇ¾ú´Ù.

ÃÖ±Ù ¸Þ¸ð¸® °ø±Þ¾÷üµéÀº µ¥ÀÌÅÍÀÇ Æø¹ßÀû Áõ°¡¿Í ´õ ³ôÀº ¿ë·®ÀÇ ¼Ö¸®µå ½ºÅ×ÀÌÆ® µå¶óÀ̺ê(SSD) ¹× ´õ ºü¸¥ ¾×¼¼½º ½Ã°£¿¡ ´ëÇÑ ¿ä±¸·Î ÀÎÇØ ±â¼ú °æÀïÀ» Ä¡¿­ÇÏ°Ô ÇÏ°í ÀÖ´Ù.

½ºÅ丮ÁöÀÇ ÇÙ½É ±â¼úÀÎ 3D ³½µå Ç÷¡½Ã´Â Áö¼ÓÀûÀ¸·Î ´õ ³ôÀº ÃþÀ» ÀûÃþÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ±â¼úÀ» ¿ä±¸ÇÏ°í ÀÖ°í, 2028³â¿¡´Â 1,000´Ü ÀÌ»óÀÇ ¸Þ¸ð¸® ÀûÃþÀÌ ÇÊ¿äÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÇ°í ÀÖ´Ù.

   
¡ã °í¼º´É ÀúÀü·ÂÀÇ À½ÀÇ Á¤Àü¿ë·® Ç÷¡½Ã ±â¹Ý Àθ޸𸮠ÄÄÇ»ÆÃÀ» ÀÌ¿ëÇÑ ´º·Î¸ðÇÈ ½Ã½ºÅÛ ±¸Çö

ÇÑÆí, °­À¯Àüü ¹°Áú¿¡¼­ º¸ÀÌ´Â `À½ÀÇ Á¤Àü¿ë·® È¿°ú(NC È¿°ú)'Àº ÀüÀÚ ¼ÒÀÚ¿¡ Àΰ¡µÈ ¿ÜºÎ Àü¾ÐÀ» ³»ºÎÀûÀ¸·Î ÁõÆøÇØ Àü·Â ¼Ò¸ð¸¦ ÁÙÀ̴ Ư¼ºÀÌ ÀÖ¾î, ÀüÀÚ ¼ÒÀÚÀÇ ¹°¸®Àû ¼º´É ÇѰ踦 ±Øº¹ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù´Â °¡´É¼ºÀÌ Á¦½ÃµÆ´Ù.

ÃÖ±Ù Æä·Îºê½ºÄ«ÀÌÆ® °­À¯Àüü¿¡¼­ NC È¿°ú¸¦ ½ÇÇèÀûÀ¸·Î °üÂûÇßÀ¸³ª, Æä·Îºê½ºÄ«ÀÌÆ® °­À¯ÀüüÀÇ ¼ÒÇüÈ­ ÇÑ°è ¹× CMOS °øÁ¤°úÀÇ ºÎÀûÇÕ¼ºÀ¸·Î ÀÎÇØ NC È¿°ú¸¦ È°¿ëÇÑ ÀüÀÚ ¼ÒÀÚÀÇ ±¸Çö¿¡ ´ëÇØ »ó´çÇÑ È¸ÀÇ·ÐÀ» ºÒ·¯ÀÏÀ¸Ä×´Ù.

°­À¯Àüü´Â Àü±âÀûÀ¸·Î´Â Àý¿¬Ã¼ÀÌÁö¸¸ ÀÚ¿¬»óÅ¿¡¼­ ¿ÜºÎ Àü±âÀåÀÌ ¾ø¾îµµ Àü±â Æí±ØÀ» Áö´Ò ¼ö Àִ ƯÀÌÇÑ ¹°¸®Àû ¼ºÁúÀ» °¡Áø ¹°ÁúÀÌ´Ù.

Àü»óÈÆ ±³¼ö ¿¬±¸ÆÀÀº ±âÁ¸ Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸®ÀÇ ¹°¸®Àû ¼º´É ÇѰ踦 ±Øº¹ÇÏ°í µ¿ÀÛÀü¾ÐÀ» ³·Ãß±â À§ÇØ, ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤¿¡ »ç¿ëµÇ´Â ÇÏÇÁ´½¿Á»çÀ̵å(HfO2) °­À¯Àüü ¹Ú¸·ÀÇ NC È¿°ú¸¦ ¾ÈÁ¤È­ÇØ ÀúÀü¾Ð ±¸µ¿ÀÌ °¡´ÉÇÑ °­À¯Àüü ¼ÒÀçÀÇ NC-Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸®¸¦ ¼¼°è ÃÖÃÊ·Î °³¹ßÇß´Ù.

°³¹ßµÈ NC-Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸®´Â ±âÁ¸ Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® ´ëºñ Àü·Â ¼Ò¸ð°¡ 10,000¹è ÀÌ»ó ³·Àº ÀúÀü·Â °í¼º´É Ư¼ºÀ» ´Þ¼ºÇß´Ù.

¿¬±¸ÆÀÀº ±×»Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó ±âÁ¸ ÄÄÇ»Æà ±¸Á¶ÀÎ Æù³ëÀ̸¸ ¾ÆÅ°ÅØó¸¦ ´ëüÇÏ¿© »õ·Ó°Ô ÁöÇâÇÏ´Â Àθ޸𸮠ÄÄÇ»ÆÃÀ» NC-Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸®¸¦ ±â¹ÝÀ¸·Î ±¸ÇöÇØ ¼¼°è ÃÖ°í ¼öÁØÀÇ ¿¡³ÊÁö È¿À² ¶ÇÇÑ ´Þ¼ºÇß´Ù.

À̹ø ¿¬±¸ °á°ú´Â ºü¸¥ ½ºÅ丮Áö¸¦ ÇÊ¿ä·Î ÇÏ´Â ÃֽŠÄÄÇ»Æðú ³×Æ®¿öÅ·ÀÇ ¿ä±¸¸¦ ÃæÁ·ÇÏ´Â Â÷¼¼´ë ³½µå Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® °³¹ß¿¡ ÀÖ¾î ÇÙ½É ¿ªÇÒÀ» ÇÒ °ÍÀÌ´Ù.

KAIST Àü±â¹×ÀüÀÚ°øÇкΠ±èÅÂÈ£ ¹Ú»ç°úÁ¤°ú ±è±â¿í ¹Ú»ç°úÁ¤ÀÌ °øµ¿ Á¦1 ÀúÀÚ·Î ¼öÇàÇÑ À̹ø ¿¬±¸´Â Àú¸í ±¹Á¦ ÇмúÁö `¾îµå¹ê½ºµå Æã¼Å³Î ¸ÓÅ͸®¾óÁî(Advanced Functional Materials)' 2022³â 12¿ùÈ£¿¡ ÃâÆǵƴÙ. (³í¹®¸í : The Opportunity of Negative Capacitance Behavior in Flash Memory for High-Density and Energy-Efficient In-Memory Computing Applications)

 

¾ç¿Á°æ ±âÀÚÀÇ ´Ù¸¥±â»ç º¸±â  
ÆùƮŰ¿ì±â ÆùÆ®ÁÙÀ̱â ÇÁ¸°Æ®Çϱ⠸ÞÀϺ¸³»±â ½Å°íÇϱâ
Æ®À§ÅÍ ÆäÀ̽ººÏ ³×À̹ö ±¸±Û msn µÚ·Î°¡±â À§·Î°¡±â
ÀÌ ±â»ç¿¡ ´ëÇÑ ´ñ±Û À̾߱â (0)
ÀÚµ¿µî·Ï¹æÁö¿ë Äڵ带 ÀÔ·ÂÇϼ¼¿ä!   
È®ÀÎ
- 200ÀÚ±îÁö ¾²½Ç ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. (ÇöÀç 0 byte / ÃÖ´ë 400byte)
- ¿å¼³µî ÀνŰø°Ý¼º ±ÛÀº »èÁ¦ ÇÕ´Ï´Ù. [¿î¿µ¿øÄ¢]
ÀÌ ±â»ç¿¡ ´ëÇÑ ´ñ±Û À̾߱â (0)
½Å¹®»ç¼Ò°³¤ý±â»çÁ¦º¸¤ý±¤°í¹®ÀǤýºÒÆí½Å°í¤ý°³ÀÎÁ¤º¸Ãë±Þ¹æħ¤ýû¼Ò³âº¸È£Á¤Ã¥¤ýÀ̸ÞÀϹ«´Ü¼öÁý°ÅºÎ
´ëÀü±¤¿ª½Ã À¯¼º±¸ À¯¼º´ë·Î 736¹ø±æ 10, ¹Ì¼ö³Ø½ºÅõºô 910È£   |  ´ëÇ¥ÀüÈ­ : 042-331-4050  |  ¹ßÇàÀηÆíÁýÀÎ : À°½É¹«
û¼Ò³âº¸È£Ã¥ÀÓÀÚ : À°½É¹« Á¦È£ : ÃæûÆ÷½ºÆ®  |  µî·Ï¹øÈ£ : ´ëÀü, ¾Æ00275 |  µî·ÏÀÏ : 2017.06.07
»ç¾÷ÀÚµî·Ï¹øÈ£ : 305-21-90741   |  µî·ÏÀÏ : 2014. 7. 23
Copyright © 2024 ÃæûÆ÷½ºÆ®. All rights reserved.